禹習(xí)謙研究員采用簡單的高能球磨方法- 合成富陰離子的非晶態(tài)鈦多硫化物

更新時(shí)間：2021-10-27 閱讀次數(shù)：2779

Al³⁺與密排晶體結(jié)構(gòu)之間的強(qiáng)靜電相互作用，以及傳統(tǒng)陽離子氧化還原正極的單電子轉(zhuǎn)移能力，使得發(fā)展高性能可充電鋁電池具有挑戰(zhàn)性。

為了打破多價(jià)金屬離子存儲中晶態(tài)正極容量低、可逆性差的問題，中科院物理研究所索鎏敏、禹習(xí)謙研究員提出了一種新的非晶化和陰離子富集策略，不僅可以利用非晶態(tài)結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)來增強(qiáng)存儲位點(diǎn)和固態(tài)離子擴(kuò)散，而且實(shí)現(xiàn)了通過引入額外的陰離子氧化還原中心，來增強(qiáng)多電子的局部轉(zhuǎn)移。

【研究過程】

研究人員采用一種簡單的自上而下高能球磨方法合成了一類未被發(fā)現(xiàn)的富陰離子的非晶態(tài)鈦多硫化物（a-TiSx，x=2,3,4）（AATPs）。

↑ 此圖為FRITSCH制作的實(shí)驗(yàn)過程示意圖

在來自研磨球和罐壁的沖擊、壓縮、摩擦和剪切力的作用下，原始結(jié)晶顆粒不斷細(xì)化變形，形成含有缺陷和位錯(cuò)的亞穩(wěn)態(tài)，不斷斷裂和復(fù)合形成研磨過程中的新材料。球磨 48 小時(shí)后，原始晶體 TiS2 (c-TiS2) 的典型長程有序晶格邊緣*消失，取而代之的是直徑為 50 至 200 nm 的非晶態(tài)。 Ti 和 S 元素均勻分布在非晶 TiS3 和 TiS4（a-TiS3 和 a-TiS4）中。

【研究成果】

1）AATPs具有高濃度的缺陷和的陰離子氧化還原中心。其中，α-TiS4在可逆容量、循環(huán)穩(wěn)定性和倍率性能方面表現(xiàn)出的電化學(xué)性能，可逆容量高達(dá)206 mAh/g，可循環(huán)1000次以上。

2）實(shí)現(xiàn)了實(shí)現(xiàn) 9.1 × 10-2 S/cm 的高電導(dǎo)率。

3）a-TiS2 的可逆容量為 48 mAh/g，是 c-TiS2（20 mAh/g）的兩倍多，表明非晶結(jié)構(gòu)有利于 Al3+ 存儲。